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本发明的实施方式提供一种能够抑制存储单元晶体管的劣化的半导体存储装置及存储器系统。实施方式的半导体存储装置具有第1及第2动作模式，且具备存储单元晶体管与字线。对于存储单元晶体管，在删除数据的情况下，施加删除脉冲，在写入数据的情况下，施加编程...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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