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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供衬底；在衬底上淀积层间介质层和接触层，并进行平坦化；选择性刻蚀去除部分厚度的层间介质层；覆盖第一金属层。本发明在接触层与层间介质层间形成有台阶高度差，从而减小了接触层之上的第一金属层的厚度...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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