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3D-IC包括第一层器件和第二层器件。第一层器件和第二层器件垂直堆叠在一起。第一层器件包括第一衬底和形成在第一衬底上方的第一互连结构。第二层器件包括第二衬底、形成在第二衬底中的掺杂区、形成在衬底上方的伪栅极以及形成在第二衬底上方的第二互连结...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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