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一种可调控制栅增加ILD填充窗口的工艺方法，其包括：提供有单元存储区域和外围器件区域的基底；在基底表面沉积第一多晶硅栅层；在第一多晶硅栅层表面生长一层氧化硅阻挡层；在氧化硅阻挡层表面进行光刻胶涂布和显影，露出外围器件区域，仅刻蚀去除外围器件...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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