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本发明实施例提供了FET结构，FET结构包括具有顶面的第一导电类型的衬底，在顶面上方的第一栅极，在衬底中的第二导电类型的源极和漏极，以及在第一栅极下方的第一沟道。第一导电类型的掺杂剂浓度包括在顶面之下小于200nm处，沿着第一沟道从第一栅极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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