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描述了一种在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法。所述方法包含以下步骤：提供具有通孔或沟槽的第一层；在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行第二层的第一部分的沉积，第一...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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