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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括沟槽栅电极、将它们彼此耦合的发射极耦合部、布置在混合子单元区以及无源单元区中的层间绝缘膜，和穿透它的接触沟槽。而且，接触沟槽在混合子单元区与发射极耦合部的延伸方向的交叉区中被分割。而且，设...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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