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本发明是关于形成导电特征的方法。根据本发明一实施例的方法包含：在导电层上形成图案化屏蔽层；在图案化屏蔽层和导电层上形成第一电介质层；选择性地蚀刻第一电介质层，由此而暴露图案化屏蔽层的上表面，其中第一电介质层的上表面低于图案化屏蔽层的顶面；移...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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