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本发明提供具有多个大型通孔(例如是位于接合衬垫之下)的半导体元件，以增加通孔的开口区域比例、增加通孔刻蚀率、并避免金属层间介电层碎裂及对集成电路造成损害。通孔被定义为位于金属层间介电层中介于被隔离的一导电底基层及一导电顶部层之间的一大型开口...
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