温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
存储器件包括第一电极、第二电极、存储元件、间隔件和阻挡结构。第二电极与第一电极相对。存储元件设置在第一电极和第二电极之间。间隔件形成在第二电极的侧壁上,并且间隔件具有设置在间隔件的顶面上的凹口。阻挡结构嵌入在间隔件的侧部中,并且阻挡结构具有...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
存储器件包括第一电极、第二电极、存储元件、间隔件和阻挡结构。第二电极与第一电极相对。存储元件设置在第一电极和第二电极之间。间隔件形成在第二电极的侧壁上,并且间隔件具有设置在间隔件的顶面上的凹口。阻挡结构嵌入在间隔件的侧部中,并且阻挡结构具有...