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本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有待加工层、第一掩膜层、第一图形，所述第一图形包括关键尺寸图形；形成第一阻挡层，所述第一阻挡层厚度不超过第一图形中最邻近图形的间距的一半；填充凹槽以形成具有平整表面第二...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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