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本发明提供了一种用于制造具有多阶鳍轮廓的半导体器件的方法，方法包括提供衬底以及在衬底上方形成具有第一间隔件宽度的第一间隔件。在第一蚀刻工艺期间第一间隔件掩蔽衬底的第一部分。通过实例的方式，对衬底实施第一蚀刻工艺以形成第一阶鳍区域，其中，第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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