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本发明提供了半导体部件及其制造方法。本发明提供了一种半导体部件，该半导体部件包括衬底、设置在衬底上的界面层、设置在衬底上的第一金属栅极结构和第二金属栅极结构。第一金属栅极结构包括设置在界面层上的第一高k介电层和设置在第一高k介电层上的第一金...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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