温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及存储器领域,尤其涉及一种防止SRAM存储单元的下拉电流降低的电路,包括地址侦测模块、负压产生模块和负压分配模块,地址侦测模块设置有地址接口,以用于接收目标存储单元的地址;地址侦测模块根据地址生成地址匹配信号,地址侦测模块还设置有地...该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及存储器领域,尤其涉及一种防止SRAM存储单元的下拉电流降低的电路,包括地址侦测模块、负压产生模块和负压分配模块,地址侦测模块设置有地址接口,以用于接收目标存储单元的地址;地址侦测模块根据地址生成地址匹配信号,地址侦测模块还设置有地...