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本发明提供了半导体器件制造的方法，其包括提供具有多个沟槽的衬底，多个沟槽设置在形成于衬底上方的介电层中。包括多个开口的通孔图案可限定在衬底上方。间隔件材料层形成在至少一个沟槽的侧壁上。使用通孔图案和间隔件材料层作为掩模元件可在介电层中蚀刻通...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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