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存储装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:14123514
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本发明公开了一种具有一个或多个区块的多个存储单元的三维阵列。区块包括多个层,这些层包括多个半导体条,这些半导体条自一半导体接触垫延伸。设置这些层以使得半导体条形成多个半导体条叠层以及多个半导体接触垫的一半导体接触垫叠层。并且,多个选择栅极结...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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