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本发明公开了一种具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构，包括一半导体衬底，其上设有一N型井区和一P型井区；一第一氧化层定义区和一第二氧化层定义区设于所述N型井区内；一PMOS选择晶体管设于所述第一氧化层定义区上；一PMOS浮动栅极晶体管与所述...
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