下载一种低温制备氮化硅粉体材料的方法的技术资料

文档序号:1407344

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本发明公开了一种低温制备氮化硅粉体材料的方法,本发明以叠氮钠作氮源,以卤硅烷作硅源,在反应釜中加热到250~550℃,使反应物之间发生反应,反应0~5小时后停止加热,自然冷却,然后依次用乙醚、去离子水清洗,以除去残余反应物及反应副产物,然后...
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