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本发明公开了一种半导体元件的制造方法。于基底上形成堆栈层。图案化堆栈层，以形成沿着第一方向延伸的多个堆栈结构，相邻的两个堆栈结构之间具有沿着第一方向延伸的沟道，每一沟道具有多个宽部和多个窄部。宽部沿着第二方向的最大宽度大于窄部沿着第二方向的...
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