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一种半导体器件,包括:具有第一区和第二区的衬底;位于第一区中的n型晶体管,n型晶体管包括第一组源极/漏极部件;以及位于第二区中的p型晶体管,p型晶体管包括第二组源极/漏极部件。第二组源极/漏极部件比第一组源极/漏极部件延伸得更深。本发明涉及...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体器件,包括:具有第一区和第二区的衬底;位于第一区中的n型晶体管,n型晶体管包括第一组源极/漏极部件;以及位于第二区中的p型晶体管,p型晶体管包括第二组源极/漏极部件。第二组源极/漏极部件比第一组源极/漏极部件延伸得更深。本发明涉及...