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本发明涉及非易失性存储器制造技术领域，尤其涉及一种浮栅型闪存及其制备方法，在浮栅蚀刻完之后，在硅片上沉积氧化硅与氮化硅，然后用干法蚀刻的方式形成氮化硅隔离薄膜，接着沉积一层氧化硅作为氮化硅湿法蚀刻的硬掩膜版，再用湿法的方式去除浮栅和字线（即...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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