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本发明涉及一种高灵敏度图像传感器，其包括本征或轻p掺杂(例如小于约1013cm‑3的掺杂水平)外延硅层。在所述外延层的前侧上制造CMOS或CCD电路。在所述外延层的背侧上生长p及n型外延层。纯硼层沉积于所述n型外延层上。在所述硼沉积过程期间...
该专利属于科磊股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过科磊股份有限公司授权不得商用。

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