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三维半导体器件制造技术
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文档序号:13980782
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公开了一种三维半导体器件,包括:外围电路;存储单元阵列,层叠在外围电路上并且包括沿第一方向定义的存储区域和减薄区域,其中,减薄区域包括沿第一方向交替定义的接触区域和阶梯区域,其中,减薄区域还包括沿与第一方向正交的第二方向定义的平台区域,其中...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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