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用于产生具有可编程延迟的动态随机存取存储器(DRAM)命令的存储器物理层接口逻辑制造技术
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下载用于产生具有可编程延迟的动态随机存取存储器(DRAM)命令的存储器物理层接口逻辑的技术资料
文档序号:13974610
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与存储器物理层接口(PHY)(140、205)联合实施的多个寄存器(222)可用于存储指示一个或多个命令和一个或多个延迟(415、515、535、540)的一个或多个指令字(300)。实施于所述存储器PHY中的训练引擎(220)可产生全速可...
该专利属于超威半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过超威半导体公司授权不得商用。
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