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本发明公开了一种非易失存储器结构及其制作方法，包括建立在同一半导体基底上的存储区和外围电路区，外围电路区上从下往上依次覆盖有第一、第二层间介质，存储区上覆盖有第二层间介质，存储区的第二层间介质与外围电路区的第二层间介质相连，并且其上表面相平...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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