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本发明公开了一种新型SRAM位线漏电流效应抑制电路，包括：2个PMOS管P1与P2，两个电容C1与C2；其中：电容C1的一端接SRAM中的位线BL，另一端与PMOS管P1的漏极相连，同时一起接到SRAM中的灵敏放大器的输入端sa_in，PM...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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