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一种装置，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器，该反相器包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及p沟道MOSFET，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。一种...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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