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一种半导体存储器件包括：堆叠结构，其包括垂直地堆叠在衬底上的各个栅电极以及穿过栅电极的垂直沟道部分；位线，其连接至所述垂直沟道部分；以及多条导线，其连接至所述堆叠结构上的各个栅电极。所述导线形成多个堆叠层，并且包括第一导线和第二导线。布置在...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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