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讨论了与具有增强的击穿电压的III‑N晶体管有关的技术、包含这样的晶体管的系统以及用于形成它们的方法。这样的晶体管包括处于衬底之上的具有开口的硬掩模、源极、漏极以及处于源极与漏极之间的沟道，并且源极或漏极的一部分设置在硬掩模的开口之上。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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