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提供一种半导体存储器件，包括：基板；层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的栅电极；竖直沟道部，穿过栅电极；掺杂区，提供在层叠结构的侧部的基板中；公共源极插塞，在基板上并电连接到掺杂区；单元接触插塞，分别连接到栅电极。公共源极插塞的顶表面处于与所...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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