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实施例包括基于III‑V材料的器件，其包括：在硅衬底上的基于第一III‑V材料的缓冲层；在基于第一III‑V材料的缓冲层上的基于第二III‑V材料的缓冲层，第二III‑V材料包括铝；以及在基于第二III‑V材料的缓冲层上的基于III‑V材料...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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