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本发明提供一种半导体器件结构。该半导体器件结构包括半导体衬底。该半导体器件结构包括位于半导体衬底上方的第一介电层。该半导体器件结构包括嵌入在第一介电层中的第一导线。该半导体器件结构包括位于第一介电层和第一导线上方的第二介电层。该半导体器件结...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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