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本发明提供一种半导体器件，本发明的课题在于提供适用了FinFET的延迟电路。半导体器件具有第一反相器和与其串联连接的第二反相器。第一及第二反相器分别具有p沟道型晶体管和n沟道型晶体管。构成第二反相器的p沟道型晶体管和n沟道型晶体管的活性区域...
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