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电阻式随机存取存储器及其制造方法技术
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文档序号:13797044
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本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法,该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层与至少一存储单元串。介电层设置于基底上。存储单元串包括多个存储单元与至少一第一内连线结构。存储单元垂直相邻地设置于介电层中,且各存储单元包括第一导线、第二...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。
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