下载半导体器件及其制造方法的技术资料

文档序号:13794054

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本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目标是提供一种具有较少开裂或剥离的半导体器件及其制造方法。半导体器件的熔丝部分具有被电耦合至SRAM存储器单元的位线。位线由层间绝缘膜覆盖。作为层间绝缘膜,形成掺杂硼的BPTEOS膜。位线在...
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