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一种半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:13793132
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本发明公开了一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底;在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层;在第二半导体层上形成栅极;在叠层及栅极上形成覆盖层;刻蚀栅极侧面的覆盖层及第二半导体层,以形成刻蚀孔;通过刻蚀孔进行腐蚀去除第一半导体...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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