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本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。一种半导体存储装置包括可变电阻元件作为存储元件，该可变电阻元件根据施加的电压的极性和大小更改电阻值。半导体存储装置包括待命模式，在待命模式中，电源电压或接地电压被施加到字线和位线这两者上。半导体存储装置...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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