下载在包覆的III-V族沟道材料中实现高迁移率的方法的技术资料

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提供了一种设备,其包括:布置在衬底上并且限定了沟道区域的异质结构,异质结构包括具有小于衬底材料带隙的第一带隙的第一材料,以及具有大于第一带隙的第二带隙的第二材料;以及在沟道区域上的栅极叠置体,其中第二材料布置在第一材料和栅极叠置体之间。提供...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。

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