温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及“通过CVD蚀刻与淀积顺序形成的CMOS晶体管结区”。本发明是对换置源‑漏CMOS晶体管工艺的补充。处理工序可包括用一组设备在衬底材料中蚀刻一凹槽，然后在另一组设备中进行淀积。公开了一种在不暴露于空气的条件下、在同一反应器中进行蚀...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。