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本发明描述了用于在电介质层内形成具有紧密间距的互连结构的互连层的工艺，其中，沟槽和过孔用于在金属化之前形成具有相对低的纵横比的互连结构。该低纵横比可以降低或基本上消除在沉积金属化材料时在金属化材料内形成孔隙的可能性。本文中的实施例可以通过允...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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