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本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。改进了使用氮化物半导体的半导体器件的特性。通过蚀刻形成在衬底上方的沟道层、势垒层和绝缘膜，形成贯穿绝缘膜和势垒层并且到达沟道层内部的沟槽。然后，通过使用外延生长法，在沟槽的底表面和侧表面上方形成外...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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