下载薄膜存储器技术的L形电容器的技术资料

文档序号:13537318

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本发明涉及一种非平面的FEOL(前道工序)电容器和一种相关的制造方法,该非平面的FEOL电容器包括设置在电极间的电荷捕获介电层。在一些实施例中,非平面的FEOL电容器具有设置在衬底上方的第一电极。电荷捕获介电层在衬底上设置在邻近第一电极的位...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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