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本发明涉及用于嵌入式闪存存储器件的集成电路(IC)。在一些实施例中，IC包括设置在半导体衬底上方的存储阵列区和围绕存储阵列区的边界区。包括多个离散部分的硬掩模设置在存储阵列区处。硬掩模设置在存储阵列区的控制介电层下方。本发明还涉及一种改进用...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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