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本发明提供一种半导体结构，包括：有源区，具有第一表面；隔离区，具有第二表面，隔离区围绕有源区，第一表面高于第二表面；以及金属栅极，具有设置在第一表面和第二表面上方的多个金属层。多个金属层中的至少一个层的最薄部分与最厚部分的比率约大于40％。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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