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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供SOI衬底，衬底中形成有隔离；在衬底上形成器件结构；在衬底的顶层硅中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除至少部分的埋氧层，以至少在器件结构的栅极下形成空腔；在空腔及刻蚀孔的内表面上分别形成背栅...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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