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本公开提供一种中介层及其制造方法、电子装置和保护装置，中阶层包括具有一半导体基底以及电性连接基底通孔电极的一接面金属。该半导体基地包括一主表面及至少局部穿过该半导体基底的一基底通孔电极。接面金属与位于半导体基底的一主表面的一掺杂区接触而构成...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心授权不得商用。