下载使用InAlN和AlGaN双层覆盖叠置体的Si衬底上的低薄层电阻GaN沟道的技术资料

文档序号:13340905

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晶体管或晶体管层包括位于2DEG GaN沟道上的InAlN和AlGaN双层覆盖叠置体,例如对于Si衬底上的GaN MOS结构。GaN沟道可以形成于GaN缓冲层或叠置体中,以补偿GaN与Si之间的高的晶体结构晶格尺寸和热膨胀系数失配。双层覆盖...
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