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使用InAlN和AlGaN双层覆盖叠置体的Si衬底上的低薄层电阻GaN沟道制造技术
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下载使用InAlN和AlGaN双层覆盖叠置体的Si衬底上的低薄层电阻GaN沟道的技术资料
文档序号:13340905
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晶体管或晶体管层包括位于2DEG GaN沟道上的InAlN和AlGaN双层覆盖叠置体,例如对于Si衬底上的GaN MOS结构。GaN沟道可以形成于GaN缓冲层或叠置体中,以补偿GaN与Si之间的高的晶体结构晶格尺寸和热膨胀系数失配。双层覆盖...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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