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本发明提供了一种双结构接触孔同步刻蚀工艺，通过增加感光区氧化硅层的厚度，来增大逻辑区和感光区的接触孔层间差距，然后反复利用不同刻蚀气体组合的氧化硅和氮化硅的不同刻蚀选择比，来依次完成对感光区氮化硅阻挡层，感光区氧化硅层，逻辑区氮化硅阻挡层的...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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