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本发明提供一种FinFET器件，包括：位于衬底上方的第一半导体鳍部；位于衬底上方的第二半导体鳍部，其中，第一半导体鳍部和第二半导体鳍部被第一隔离区分隔开；连接至第一半导体鳍部和第二半导体鳍部的第一漏极/源极区；以及位于第一隔离区下面的第一位...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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