下载晶圆与晶圆接合的工艺及结构的技术资料

文档序号:13306444

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本发明的实施例提供了一种接合结构及其形成方法。在接合结构的第一表面上形成导电层,接合结构包括接合至第二衬底的第一衬底,接合结构的第一表面是第一衬底的暴露的表面。在导电层上形成具有第一开口和第二开口的图案化的掩模,第一开口和第二开口暴露导电层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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